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晶振系列

首頁進口晶振泰藝晶振,TA晶振,7050晶振,貼片晶振

    泰藝晶振,TA晶振,7050晶振,貼片晶振

  • 規(guī)格型號:56137606
  • 頻率:5.000MHZ~40.000MHZ
  • 尺寸:7.0*5.0*1.9mm 詳細(xì)資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品.

泰藝晶振,TA晶振,7050晶振,貼片晶振
參數(shù):頻率范圍5.000MHZ-52.000MHZ
電源電壓:3.3V
負(fù)載電容: 15F
工作溫度: -40℃~+85℃

保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±2.0ppm
輸出方式:CMOS
尺寸:大尺寸重量輕7.0*5.0*1.9
應(yīng)用:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品。

        泰藝電子,頻率控制方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,近日發(fā)布支持最高頻率250MHz的超低相位抖動OA系列產(chǎn)品。此進口晶體振蕩器小型化3.2×2.5mm標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝可使系統(tǒng)廠商在系統(tǒng)設(shè)計上更小型化,成本更低,
        藉由垂直整合掌握石英芯片之生產(chǎn)以及低相噪振蕩電路設(shè)計技術(shù),新推出的OA系列進一步強化了泰藝電子石英晶體振蕩器的產(chǎn)品性能,并且提供客戶更多高質(zhì)量的解決方案。

       泰藝晶振,TA晶振,7050晶振,貼片晶振,是一款擁有7050mm大體積貼片型有源晶振,厚度僅比一枚一元硬幣厚出0.5mm之差,在溫補晶振中是最大的一款,由臺灣進口品牌泰藝生產(chǎn),質(zhì)地輕質(zhì)量好,輸出方式為CMOS適合運用到不同的產(chǎn)品上,受到許多大陸生產(chǎn)廠的熱愛,TA晶振符合歐盟的ROHS規(guī)定,本身具有三態(tài)輸出功能。

泰藝晶振型號/輸出類型 TA晶振,泰藝溫補晶振
晶振類型 TCXO振蕩器
輸出方式 CMOS
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 3.3V
頻率范圍 5.000MHZ-52.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±2.0ppm
工作溫度 -40~+-85℃
保存溫度 -55~+125℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1 VDD/0.9 VDD
啟動時間 5 ms Max.
相位抖動(12千赫?20兆赫) 1個PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些進口晶振產(chǎn)品。請設(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保晶體產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD晶振產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存晶體產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。

1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過壓電石英晶體振蕩器單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補償
除非在溫補晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻注意事項-振蕩補償.png
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致這款的頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png

頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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