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晶振系列

首頁進口晶振希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振

    希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振

  • 規(guī)格型號:94545483
  • 頻率:40.000MHZ-160.000MHZ
  • 尺寸:7.0*5.0*1.5mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應用于食品加工設備,全自動包裝設備,便捷智能環(huán)保設備,自動化儀表,塑料加工儀器,自動化制藥機械等大中型機器設備.

希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振
參數(shù):頻率范圍40.000MHZ-160.000MHZ
電源電壓: 3.3V
工作溫度: -10℃~+70℃

保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±30ppm,±50ppm,±100ppm,
輸出方式:LVPECL
占空因數(shù):45~55% at 50%
尺寸:大體積7.0*5.0*1.5
應用:電工儀器儀表,水污染防治設備,光學儀器,建筑物工程設備,農(nóng)業(yè)機械設備,重型礦山機械,起重機械,裝卸設備等產(chǎn)品。

       希華晶體科技成立于1988年,專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設計、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過最佳團隊組合及先進之生產(chǎn)技術,建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、石英晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務。 
       敏銳地掌握SMD晶振產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領域等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機電(MEMS)技術領域,加速導入TF SMD Crystal的量產(chǎn),藉以擴大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間。 


       希華晶振,OSC57A晶振,7050晶振,石英晶振,是臺灣進口的一款7050mm大體積六腳的石英晶體振蕩器,在如今各種小尺寸的晶振中,此晶振算是比較早期研發(fā)的石英晶振,但比起3225mm,2520mm和2016mm等小型晶體,OSC57A晶振的優(yōu)勢在于適用中大型的機械設備或者各類檢測儀,40.000-160.000MHZ的高頻率,使其能充分發(fā)揮振動功能。

希華晶振型號/輸出類型 OSC57A晶振,希華有源晶體
晶振類型 OSC振蕩器
輸出方式 LVPECL
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 3.3V
頻率范圍 40.000MHZ-160.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±30ppm,±50ppm,±100ppm
工作溫度  - 10 ~ + 70℃
保存溫度  - 40 ~ + 85℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動時間 5 ms Max.
相位抖動(12千赫?20兆赫) 1個PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



1.存儲事項
(1)   在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存石英晶體產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2)   請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
9.安裝時注意事項
2.耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害貼片晶振。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。
3.自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保臺灣晶振產(chǎn)品未撞擊機器或其他電路板等。

1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明諧振晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。注意事項-振蕩補償.png
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png

頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考.png
                           
振蕩回路參數(shù)設置參考

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