臺(tái)灣泰藝最新推出2016封裝SMD振蕩器料號(hào)
來(lái)源:http://m.netflixyz.com 作者:金洛鑫電子 2019年05月24
2019年5月23號(hào)臺(tái)灣泰藝晶振公司更新的產(chǎn)品資訊,宣布推出一款2.0*1.6*0.75mm的SMD振蕩器,是FASTXO系列中的PZ-U。這個(gè)系列有個(gè)特點(diǎn),就是可以任意指定任何一種頻率,有點(diǎn)類(lèi)似于MEMS可編程晶振,但是成本相對(duì)于沒(méi)那么高。而且交貨時(shí)間短,一經(jīng)下單會(huì)在最短的時(shí)間內(nèi)發(fā)貨。電源電壓:1.8V/2.5V/3.3V,頻率范圍:1.000MHz~125.000MHz,頻率穩(wěn)定性:±20ppm,相位抖動(dòng):(RMS,12kHz~20MHz)0.7ps,工作溫度:-40℃~+85℃/105℃。
FASTXO晶振規(guī)格參數(shù)表:
FASTXO晶振系列特點(diǎn):
典型的2.05x1.65x0.75mm陶瓷SMD晶振封裝
工作電源電壓:1.8V,2.5V和3.3V
FASTXO系列,可在任何頻率下快速交貨
三態(tài)啟用/禁用
頻率穩(wěn)定性在-40°C至85°C范圍內(nèi)±25ppm
無(wú)鉛/符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
FASTXO晶振產(chǎn)品圖:
PZ-U型微型化FASTXO系列產(chǎn)品提供1MHz至200MHz的寬頻率范圍,滿(mǎn)足市場(chǎng)上各種數(shù)字應(yīng)用的需求。憑借卓越的產(chǎn)品功能,PZ-UType是高頻XO晶振產(chǎn)品的最佳替代解決方案。PZ-U型能夠提供任何頻率和快速交付,縮短了在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段獲得不同頻率樣本進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證所需的時(shí)間,使客戶(hù)能夠加快批量生產(chǎn)和產(chǎn)品發(fā)布的速度。
FASTXO晶振尺寸封裝圖:
應(yīng)用范圍:可穿戴設(shè)備,移動(dòng)設(shè)備,物聯(lián)網(wǎng),智能手機(jī),游戲機(jī),計(jì)算機(jī)服務(wù)器,USB,音頻和視頻,電力和能源,測(cè)試和測(cè)量,個(gè)人計(jì)算,存儲(chǔ)服務(wù)器和SSD,RAID控制器,DSL和DOCSIS,無(wú)線設(shè)備。
注意事項(xiàng):為確保最佳石英晶體振蕩器性能,請(qǐng)?jiān)赩dd和GND焊盤(pán)之間盡可能靠近器件放置一個(gè)0.1μF的旁路電容。標(biāo)準(zhǔn)頻率是晶體設(shè)計(jì)的頻率,并不意味著存儲(chǔ)位置。+轉(zhuǎn)換時(shí)間在VDD的10%和90%之間測(cè)量,輸出負(fù)載為15pF。(并非所有選項(xiàng)組合都可用。其他規(guī)格可根據(jù)要求提供)。
FASTXO晶振規(guī)格參數(shù)表:
FASTXO晶振系列特點(diǎn):
典型的2.05x1.65x0.75mm陶瓷SMD晶振封裝
工作電源電壓:1.8V,2.5V和3.3V
FASTXO系列,可在任何頻率下快速交貨
三態(tài)啟用/禁用
頻率穩(wěn)定性在-40°C至85°C范圍內(nèi)±25ppm
無(wú)鉛/符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
FASTXO晶振產(chǎn)品圖:
PZ-U型微型化FASTXO系列產(chǎn)品提供1MHz至200MHz的寬頻率范圍,滿(mǎn)足市場(chǎng)上各種數(shù)字應(yīng)用的需求。憑借卓越的產(chǎn)品功能,PZ-UType是高頻XO晶振產(chǎn)品的最佳替代解決方案。PZ-U型能夠提供任何頻率和快速交付,縮短了在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)階段獲得不同頻率樣本進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證所需的時(shí)間,使客戶(hù)能夠加快批量生產(chǎn)和產(chǎn)品發(fā)布的速度。
FASTXO晶振尺寸封裝圖:
應(yīng)用范圍:可穿戴設(shè)備,移動(dòng)設(shè)備,物聯(lián)網(wǎng),智能手機(jī),游戲機(jī),計(jì)算機(jī)服務(wù)器,USB,音頻和視頻,電力和能源,測(cè)試和測(cè)量,個(gè)人計(jì)算,存儲(chǔ)服務(wù)器和SSD,RAID控制器,DSL和DOCSIS,無(wú)線設(shè)備。
注意事項(xiàng):為確保最佳石英晶體振蕩器性能,請(qǐng)?jiān)赩dd和GND焊盤(pán)之間盡可能靠近器件放置一個(gè)0.1μF的旁路電容。標(biāo)準(zhǔn)頻率是晶體設(shè)計(jì)的頻率,并不意味著存儲(chǔ)位置。+轉(zhuǎn)換時(shí)間在VDD的10%和90%之間測(cè)量,輸出負(fù)載為15pF。(并非所有選項(xiàng)組合都可用。其他規(guī)格可根據(jù)要求提供)。
正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...
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