精工石英晶振，以優(yōu)質(zhì)的質(zhì)量體系占領(lǐng)晶體行業(yè)市場，精工產(chǎn)品具有體型小，耐溫高，性能優(yōu)越，厚度薄，重量輕等特點(diǎn) ,符合歐盟的環(huán)保要求規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性，選擇精工產(chǎn)品，締造精工品質(zhì)

    我們都知道晶振都會有他相對應(yīng)的規(guī)格參數(shù)，負(fù)載電容、額定頻率范圍、頻率公差（標(biāo)準(zhǔn)）、工作溫度、儲存溫度、激勵功率等。本文兆現(xiàn)電子將對負(fù)載電容這一參數(shù)做出明確的解釋。我們平時跟客戶溝通的時候經(jīng)常會問他們所需求晶振的負(fù)載電容是多少，然而可能連我們自己都不是很明白負(fù)載電容究竟是什么？那么這個負(fù)載電容對于石英晶振究竟具有什么樣的含義呢？
    負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。也可以看作電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。它是一個測試條件，也是一個使用條件。應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)諧振晶振的低負(fù)載電容晶振；另一個為并聯(lián)諧振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負(fù)載電容一致，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。一般情況下，增大負(fù)載電容會使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會使振蕩頻率升高。
     負(fù)載電容是晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。應(yīng)用時一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。
     晶振的負(fù)載電容是分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十PF。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般客戶向我們詢問晶振時我們都會問他們所需晶振的負(fù)載電容是多少。晶振上接的一個電阻是反饋?zhàn)饔?，使振蕩器容易起振?br />      晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確，那么買來的晶體準(zhǔn)確度就會差，關(guān)于負(fù)載電容的計算方法即從晶體兩端看進(jìn)去電容的總和。
     下面是精工貼片晶振SSP-T7-F的負(fù)載電容求得值。計算公式為：晶振的負(fù)載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中Cd，Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic（集成電路內(nèi)部電容）+△C（PCB上電容）一般為3至5pf。

要了解一個產(chǎn)品，首先就得從根本上去了解，從晶片說起，精工晶振的內(nèi)部晶片采用的全是光刻鍍金工藝，而相同是日本其它晶體品牌來說工藝技術(shù)，成本等完全就不一樣。日本其它晶體企業(yè)采用的是激光或者是水磨，鍍銀技術(shù)。在看看外殼支架，采用的是銅加銀加鎳材料，使用上來說，精工晶振可以采用回流焊接溫度260度5分鐘的高溫。外觀尺寸方面，精工晶體最早采用SMD模式，而且精工晶體產(chǎn)品基本被高端主流電子產(chǎn)品采用，好比全球最小的一顆32.768K插件晶體1.2*4.7mm，率先被廣泛使用到MP3，MP4等電子產(chǎn)品，SSP-T7-F晶振這顆料，被瘋狂的使用于移動手機(jī)，智能手機(jī)，觸摸筆記本等較高端的產(chǎn)品，精工晶體！精工品質(zhì)！如果你的產(chǎn)品需要使用石英晶振，精工品牌請選擇深圳金洛電子國內(nèi)正規(guī)授權(quán)代理商,我們可為您推薦產(chǎn)品以及介紹產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)和正確使用方法,因此金洛電子是您放心信賴的合作伙伴。

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