適合用于無(wú)人機(jī)的溫補(bǔ)晶振編碼曝光X1G005231001600

適合用于無(wú)人機(jī)的溫補(bǔ)晶振編碼曝光X1G005231001600，在這個(gè)有著無(wú)限可能性的大千世界之中，要找到相對(duì)成熟的產(chǎn)品，需要非常用心，并且擁有超強(qiáng)的敏銳觀察力，科技的創(chuàng)新，成了當(dāng)代社會(huì)的主導(dǎo)，愛(ài)普生公司意識(shí)到這個(gè)機(jī)會(huì)，并牢牢抓住機(jī)會(huì)，能夠快速針對(duì)高科技設(shè)計(jì)出新穎的產(chǎn)品，便推出了TG5032CGN晶振，編碼X1G005231001600，頻率25.000000兆赫，輸出WaveCMOS，電源電壓3.13 ~ 3.46 V，電源電壓(一般)3.300 V，尺寸(LxWxH)5.0 x 3.2 x 1.4 mm，操作溫度-40至++85°C，頻率公差+/- 1.0 ppm，這是一款高精度，低抖動(dòng)，低電壓的溫補(bǔ)晶振，很適合用于無(wú)人機(jī)，儀器設(shè)備，兒童手表，音影應(yīng)用，電子產(chǎn)品等。

愛(ài)普生晶振	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	F.Tol@25°C	Ope Temperature
X1G005231000400	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231000500	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231000900	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001000	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001100	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001200	TG5032CGN	12.800000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001300	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001500	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001600	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001700	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001900	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002000	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002300	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002500	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002600	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002700	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002800	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002900	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C

石英晶體振蕩器是一種各向異性晶體。 它由以特定方位角切割的薄片制成，然后在晶片的相應(yīng)表面上涂有銀。 安裝一對(duì)金屬塊作為極板，構(gòu)成石英晶體振蕩器。 石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應(yīng)。 當(dāng)在晶片外部的兩個(gè)板之間添加電場(chǎng)時(shí)，晶體將產(chǎn)生機(jī)械變形; 相反，當(dāng)在板之間施加機(jī)械力時(shí)，將在晶體中產(chǎn)生電場(chǎng)。 這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。