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適合用于無(wú)人機(jī)的溫補(bǔ)晶振編碼曝光X1G005231001600

來(lái)源:http://m.netflixyz.com 作者:xius 2022年10月13
適合用于無(wú)人機(jī)的溫補(bǔ)晶振編碼曝光X1G005231001600,在這個(gè)有著無(wú)限可能性的大千世界之中,要找到相對(duì)成熟的產(chǎn)品,需要非常用心,并且擁有超強(qiáng)的敏銳觀察力,科技的創(chuàng)新,成了當(dāng)代社會(huì)的主導(dǎo),愛(ài)普生公司意識(shí)到這個(gè)機(jī)會(huì),并牢牢抓住機(jī)會(huì),能夠快速針對(duì)高科技設(shè)計(jì)出新穎的產(chǎn)品,便推出了TG5032CGN晶振,編碼X1G005231001600,頻率25.000000兆赫,輸出WaveCMOS,電源電壓3.13 ~ 3.46 V,電源電壓(一般)3.300 V,尺寸(LxWxH)5.0 x 3.2 x 1.4 mm,操作溫度-40至++85°C,頻率公差+/- 1.0 ppm,這是一款高精度,低抖動(dòng),低電壓的溫補(bǔ)晶振,很適合用于無(wú)人機(jī),儀器設(shè)備,兒童手表,音影應(yīng)用,電子產(chǎn)品等。
愛(ài)普生晶振 Model Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage F.Tol@25°C Ope Temperature
X1G005231000400 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231000500 TG5032CGN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231000900 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001000 TG5032CGN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001100 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001200 TG5032CGN 12.800000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001300 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001500 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001600 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001700 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231001900 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002000 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002300 TG5032CGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002500 TG5032CGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002600 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002700 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002800 TG5032CGN 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005231002900 TG5032CGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
石英晶體振蕩器是一種各向異性晶體。 它由以特定方位角切割的薄片制成,然后在晶片的相應(yīng)表面上涂有銀。 安裝一對(duì)金屬塊作為極板,構(gòu)成石英晶體振蕩器。 石英晶體可用作振蕩電路的原因在于其壓電效應(yīng)。 當(dāng)在晶片外部的兩個(gè)板之間添加電場(chǎng)時(shí),晶體將產(chǎn)生機(jī)械變形; 相反,當(dāng)在板之間施加機(jī)械力時(shí),將在晶體中產(chǎn)生電場(chǎng)。 這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。

適合用于無(wú)人機(jī)的溫補(bǔ)晶振編碼曝光X1G005231001600,晶振產(chǎn)品有十余項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù),如工作頻率、頻率穩(wěn)定度,溫度頻差、負(fù)載電容、諧振電阻、封裝形式、老化率等。由于所有電路都是以重復(fù)且穩(wěn)定的頻率信號(hào)作為參考,選擇合適的晶振是系統(tǒng)能否持續(xù)高效工作的重要基礎(chǔ)。
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