愛普生的SPXO晶體振蕩器非常適合用于可穿戴設(shè)備X1G004801001800
來源:http://m.netflixyz.com 作者:xiue 2022年09月27
愛普生的SPXO晶體振蕩器非常適合用于可穿戴設(shè)備X1G004801001800,愛普生公司在激烈的市場斗爭中,始終堅(jiān)守初心,一路上所遇到的困難無數(shù)之多,可謂披荊斬棘,只為了把最好的品質(zhì)呈現(xiàn)給每一位用戶,憑著個(gè)人的才智與努力,如今已取得相當(dāng)了不起的成就,致力于為用戶打造高性價(jià)的石英晶體振蕩器,有源晶振等元器件,以此贏得用戶的信賴,以及與用戶建立起良好的合作關(guān)系。
愛普生公司利用自身的優(yōu)勢(shì)推出了SG2016CAN晶振,有源晶振編碼X1G004801001800,頻率20.000000兆赫,輸出WaveCMOS,電源電壓1.60 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.00 x 1.60 x 0.70 mm,工作溫度-40至+105°C,頻率公差±50ppm,額外的OptionsN /OSC TypeClock OSC,愛普生的SGxxxxCAN和SG-210STF是帶有CMOS輸出的簡單封裝晶體振蕩器(SPXO)系列。這些SPXO是物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療、工業(yè)自動(dòng)化等各種應(yīng)用的理想選擇。這些SPXO具有低電流消耗,寬工作電壓從1.6 V到3.63 V和寬工作范圍,溫度范圍從-40°C到85°C,此外可操作高達(dá)105°C。這些SPXO有五種不同的包裝尺寸,從2.0 × 1.6毫米到7.0 × 5.0毫米,可在標(biāo)準(zhǔn)針的。
愛普生的SPXO晶體振蕩器非常適合用于可穿戴設(shè)備X1G004801001800,EPSON愛普生車規(guī)晶振在晶振界的市占率在2016-2018年連續(xù)三年位于晶振第一,占比均超過10%(這三年全球營收市占率分別為12.9%、11.7%、12.4%)。EPSON愛普生是目前全球最大的貼片石英晶振供應(yīng)商,技術(shù)發(fā)展處于領(lǐng)先地位,產(chǎn)品覆蓋石英材料、基座及精微化、高精度、高品質(zhì)頻率產(chǎn)品。
愛普生公司利用自身的優(yōu)勢(shì)推出了SG2016CAN晶振,有源晶振編碼X1G004801001800,頻率20.000000兆赫,輸出WaveCMOS,電源電壓1.60 ~ 3.63 V,尺寸(LxWxH)2.00 x 1.60 x 0.70 mm,工作溫度-40至+105°C,頻率公差±50ppm,額外的OptionsN /OSC TypeClock OSC,愛普生的SGxxxxCAN和SG-210STF是帶有CMOS輸出的簡單封裝晶體振蕩器(SPXO)系列。這些SPXO是物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療、工業(yè)自動(dòng)化等各種應(yīng)用的理想選擇。這些SPXO具有低電流消耗,寬工作電壓從1.6 V到3.63 V和寬工作范圍,溫度范圍從-40°C到85°C,此外可操作高達(dá)105°C。這些SPXO有五種不同的包裝尺寸,從2.0 × 1.6毫米到7.0 × 5.0毫米,可在標(biāo)準(zhǔn)針的。
Product Number | Model | Frequency | 愛普生晶振 | Output Wave | Supply Voltage | Ope Temperature | Freq. Tol. |
X1G004801000200 | SG2016CAN | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801000300 | SG2016CAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801000700 | SG2016CAN | 12.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801001200 | SG2016CAN | 25.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801001300 | SG2016CAN | 50.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801001400 | SG2016CAN | 16.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801001800 | SG2016CAN | 20.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002000 | SG2016CAN | 48.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002100 | SG2016CAN | 27.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002400 | SG2016CAN | 25.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -20 to 70 °C | +/-25 ppm |
X1G004801002600 | SG2016CAN | 33.333300 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002700 | SG2016CAN | 10.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002800 | SG2016CAN | 50.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801002900 | SG2016CAN | 10.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003000 | SG2016CAN | 4.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003100 | SG2016CAN | 24.576000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003500 | SG2016CAN | 25.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003600 | SG2016CAN | 40.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801003900 | SG2016CAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801004000 | SG2016CAN | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 105 °C | +/-50 ppm |
X1G004801004400 | SG2016CAN | 12.288000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.70 mm | CMOS | 1.600 to 3.630 V | -40 to 85 °C | +/-50 ppm |
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