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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振SMI晶振SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振

    SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振

  • 規(guī)格型號(hào)：27461212
  • 頻率：32.768KHZ
  • 尺寸：3.2*1.5mm
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  • 產(chǎn)品描述：SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振參數(shù):頻率標(biāo)準(zhǔn)32.768KHZ激勵(lì)功率:0.5Max.負(fù)載電容:12.5pF:31M327(Standard)9.0pF:31M327-97.0pF:31M327-76.0pF:31M327-6工作溫度:-40゜C~+85゜C(Standard)-40゜C~+105゜C(W=Option)-40゜C~...

SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振

參數(shù):頻率標(biāo)準(zhǔn) 32.768KHZ

激勵(lì)功率:  0.5 Max.

負(fù)載電容: 12.5 pF : 31M327 (Standard)
9.0 pF : 31M327-9
7.0 pF : 31M327-7
6.0 pF : 31M327-6

工作溫度: -40゜C~ +85゜C (Standard)

-40゜C~ +105゜C (W = Option)
-40゜C~ +125゜C (WW = Option)
保存溫度: -55゜C to +125゜C

精度 ±5ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm,±30ppm

捆包單位：3000pcs/盤(pán) 

尺寸：極輕薄型3.2*1.5*0.8

應(yīng)用：移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備,車(chē)載遙控器,智能手表，辦公多用自動(dòng)化設(shè)備，智能家電，隨身迷你型移動(dòng)電源等產(chǎn)品。

　    SMI晶振是日本一家生產(chǎn)制造規(guī)模比較大一家電子元件工廠,長(zhǎng)期采購(gòu)SMI石英晶體的企業(yè)有上千家,日本SMI晶振在國(guó)際市場(chǎng)上的份額占有率真不算高,SMI晶振公司自成立以來(lái)便專(zhuān)注研發(fā)生產(chǎn)高品質(zhì),高精度的晶振產(chǎn)品,專(zhuān)業(yè)向市場(chǎng)供應(yīng)大量石英晶振,TCXO溫補(bǔ)晶振,VCXO壓控晶振等元件,憑借著注重質(zhì)量與服務(wù),贏得廣大用戶(hù)的喜愛(ài),SMI晶振如今在業(yè)界已是小有名氣的企業(yè).SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振.

    SMI晶振,31SMX晶振,3215晶振,無(wú)源晶振是屬于日本SMI晶振公司的兩腳金屬表面3215mm封裝的千赫晶體，同時(shí)也是一款超級(jí)輕薄小型的石英晶體諧振器，貼片型的合理設(shè)計(jì)，能承受住+125℃的高溫和-40℃的低溫，擁有比陶瓷表面晶振更好的抗摔性，符合歐盟的ROHS規(guī)定，31SMX晶振適用多樣化的智能家居電子數(shù)碼等領(lǐng)域，可發(fā)揮性?xún)?yōu)良的耐沖擊性能。

SMI晶振型號(hào)  31SMX
頻率標(biāo)準(zhǔn) 32.768K
頻率公差(25℃) ±5ppm,±10ppm,±15ppm,±20ppm,±30ppm可指定
操作溫度范圍
-40゜C ~ +85゜C (Standard)
-40゜C ~+105゜C (W = Option)
-40゜C ~+125゜C (WW = Option)
激勵(lì)功率  0.5 Max.
驅(qū)動(dòng)電平 0.1 μW (0.5 μW max.)
負(fù)載電容
12.5 pF : 31M327 (Standard)
 9.0 pF : 31M327-9
 7.0 pF : 31M327-7
 6.0 pF : 31M327-6
老化（25℃） ±3 ppm /年最大。
存儲(chǔ)溫度范圍 -55~+125℃














激勵(lì)功率
在石英晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 （請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用SMD晶振產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。

輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表


2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
    超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）

3.    測(cè)試電路

TFK-02S：在頻率電壓控制功能時(shí)，進(jìn)行連接       
（1）CMOS 負(fù)載
型號(hào)：
TFK-02S
         
（2） 抗低,電容負(fù)載
型號(hào)：
TFK-02S
              
（3） TTL 負(fù)載
型號(hào)：
TFK-02S

（4） LV-PECL 負(fù)載
型號(hào)：
TFK-02S
            
（5）LV-PECL 負(fù)載
型號(hào)：
TFK-02S 
 
（6） LV-PECL 負(fù)載
型號(hào)：
TFK-02S 
 
（7） LVDS 負(fù)載
型號(hào)：
TFK-02S 
 
（8） HCSL 負(fù)載
型號(hào)：
TFK-02S  


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