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晶振系列

首頁進口晶振希華晶振,SX-5032晶振,5032晶振,希華石英晶振

    希華晶振,SX-5032晶振,5032晶振,希華石英晶振

  • 規(guī)格型號:87396251
  • 頻率:8.000MHZ-54.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*0.7mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應用于掌上電腦,多媒體設備,單機多用戶,移動通信終端,多門式冰箱,MP5,HDD,SSD,USB,Blu-ray無線電話等產(chǎn)品.

希華晶振,SX-5032晶振,5032晶振,希華石英晶振
參數(shù):頻率范圍8.000MHZ-54.000MHZ
激勵電平: 10μW (Max.100μW )
負載電容:12PF
工作溫度: -10℃~+60℃
保存溫度: -40℃~+90℃
精度 ±10ppm
并聯(lián)電容:5PF max.
尺寸:超輕薄型5.0*3.2.*0.7mm
應用:平板電腦,USB接口,臺式電腦主機,單板照相,移動電源,無線模塊,車載遙控器等領域產(chǎn)品。


      希華敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領域等石英晶振產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機電(MEMS)技術領域,加速導入TF SMD Crystal的量產(chǎn),藉以擴大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間。 
      從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過最佳團隊組合及先進之生產(chǎn)技術,建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、石英晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補償型及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務。


       希華晶振,SX-5032晶振,5032晶振,希華石英晶振,屬于無源四腳貼片石英晶振的其中一種,同時也是一款符合歐盟ROHS規(guī)定標準的無鉛環(huán)保晶振,5032mm中小型的體積與3225mm,2520mm成為晶振市場上最為常用的幾種晶振尺寸,SX-5032晶振本身具有+/-10ppm的高精度,和8.000MHZ~54.000MHZ的頻率偏差,因此特別適用于小型化數(shù)碼市場及家電領域。

希華晶振型號 SX-5032晶振,石英水晶諧振器
頻率范圍 8.000MHZ~54.000MHZ
頻率公差(25℃) ±10ppm
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±10ppm,±15ppm 可指定
操作溫度范圍 -10-+ 60℃,可指定
并聯(lián)電容CO 5pF Max.
驅(qū)動電平 1-100μW(μW100典型)
負載電容 12pF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -40-+90℃



存儲事項
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存石英晶體諧振器產(chǎn)品時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2)請仔細處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
9.安裝時注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關信息。
機械振動的影響
當晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管貼片晶振產(chǎn)品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。


1. 驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明諧振器晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加臺灣晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
注意事項-振蕩補償.png
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致5032晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設置參考

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