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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振希華晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振

    希華晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振

  • 規(guī)格型號(hào):40659515
  • 頻率:2.500MHZ-60.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*1.05mm 詳細(xì)資料請查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于室外三鑒探測感應(yīng)哭,單反照相機(jī),智能手機(jī),單機(jī)多用戶,便捷式移動(dòng)電源,無線模塊等產(chǎn)品領(lǐng)域.

希華晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振
參數(shù):頻率范圍2.500MHZ-60.000MHZ
電源電壓: 3.3V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -40℃~+85℃

保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±10ppm,±15ppm
輸出方式:CMOS輸出 
尺寸:小型重量輕5.0*3.2*1.05
應(yīng)用:集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站,全球GSP定位系統(tǒng),多通道遙控器,家用醫(yī)療儀器等產(chǎn)品。

       臺(tái)灣希華敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的發(fā)展主流,致力于開發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品,與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域,加速導(dǎo)入SMD晶振量產(chǎn),藉以擴(kuò)大公司營收規(guī)模并且提升獲利空間。
       希華晶體科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。 


       希華晶振,OSC73晶振,5032晶振,有源晶振5032mm的金屬外殼表面貼片型石英晶振,是在所有晶振體型中中等大小的一款石英晶體振蕩器,2.500M-60.000M中頻,可用于中高端的數(shù)碼電子行業(yè)領(lǐng)域,也是市場上常用的一款晶振,OSC73晶振的優(yōu)勢在于它最低起振電壓是1.8V便可驅(qū)動(dòng),在滿足小型產(chǎn)品需求的同時(shí)也節(jié)省了電流。

大河晶振型號(hào)/輸出類型 OSC73晶振,壓電石英晶體振蕩器
晶振類型 OSC振蕩器
輸出負(fù)載 15pF
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 3.3V
頻率范圍2 2.500MHZ-60.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±10ppm,±15ppm
工作溫度  - 40 ~ + 85℃
保存溫度  - 40 ~ + 85℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1 VDD / 0.9 VDD
啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體振蕩器產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。


輸出波形與測試電路
1.時(shí)序表


2.    測試條件
(1)   電源電壓
    超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)

3.    測試電路

OSC73 :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接       
1CMOS 負(fù)載
型號(hào):

OSC73
·          
2 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):

OSC73
·               
3 TTL 負(fù)載
型號(hào):

OSC73
·   
4 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

OSC73
·            
5LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

OSC73 
 
6 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

OSC73
 
7 LVDS 負(fù)載
型號(hào):

OSC73
 
8 HCSL 負(fù)載
型號(hào):

OSC73

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