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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振鴻星晶振系列,HXO-S晶振,3225晶振,有源晶振

    鴻星晶振系列,HXO-S晶振,3225晶振,有源晶振

  • 規(guī)格型號:99374987
  • 頻率:1.000MHZ~54.000MHZ
  • 尺寸:3.2*2.5*1.2mm 詳細(xì)資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,導(dǎo)航儀,無線局域網(wǎng),千兆以太網(wǎng),智能手機(jī),PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站,串行連接SCSI,等領(lǐng)域.

鴻星晶振系列,HXO-S晶振,3225晶振,有源晶振
參數(shù):頻率范圍1.000MHZ-54.000MHZ
電源電壓: 1.8V、2.8V、3.3V、5.0V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -40℃~+85℃

保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±25ppm、±50ppm、±100ppm
輸出方式:CMOS
尺寸:重量輕小型3.2*2.5*1.2mm
應(yīng)用:無線模塊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,單反數(shù)碼相機(jī),DSL,IT產(chǎn)品,光電模塊,PC終端和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域.

         杭州鴻星電子有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專業(yè)電阻器、電容器制造廠,公元1991年于臺灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開始于中國大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營銷及FAE據(jù)點(diǎn)及十個(gè)營銷代表處。
        我們投資在團(tuán)隊(duì)能力、基礎(chǔ)建設(shè)是為了讓客戶每個(gè)產(chǎn)品的心臟都健康的跳動(dòng)。因此鴻星建立有機(jī)學(xué)習(xí)成長的平臺,激勵(lì)跨單位團(tuán)隊(duì)合作的活動(dòng),要為更好的環(huán)境與晶振產(chǎn)品不斷的改善。


         鴻星晶振系列,HXO-S晶振,3225晶振,有源晶振,是臺灣鴻星電子股份有限公司3225mm封裝晶振的系列,該系列有HXO-SF,HXO-SC,HXO-SD,HXO-SE四款石英晶體振蕩器,分別對應(yīng)5.0V,3.3V,2.8V,1.8V的電源電壓,HXO-S晶振系列產(chǎn)品的輸出方式為CMOS,可應(yīng)用在多種不同的電子的產(chǎn)品,發(fā)揮各自本身的電氣特性,是真正的低功耗,低電流晶振。

大河晶振型號/輸出類型 HXO-S晶振系列,壓電石英晶體振蕩器
晶振類型 OSC振蕩器
輸出負(fù)載 15pF
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 1.8V、2.8V、3.3V、5.0V
頻率范圍2 1.000MHZ-54.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±25ppm、±50ppm、±100ppm
工作溫度 -40~+85℃
保存溫度 -55~+125℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±2 ppm /年最大。



自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶振產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請確保晶體產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存SMD晶體產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。


輸出波形與測試電路
1.時(shí)序表


2.    測試條件
(1)   電源電壓
    超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請勿使用該探頭的長接地線。)

3.    測試電路

HXO-S系列 :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接       
1CMOS 負(fù)載
型號:

HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD

HXO-SE
·          
2 抗低,電容負(fù)載
型號:

HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD

HXO-SE
·               
3 TTL 負(fù)載
型號:

HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD

HXO-SE
·   
4 LV-PECL 負(fù)載
型號:

HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD

HXO-SE
·            
5LV-PECL 負(fù)載
型號:

HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD

HXO-SE
 
6 LV-PECL 負(fù)載
型號:

HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD

HXO-SE
 
7 LVDS 負(fù)載
型號:

HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD

HXO-SE
 
8 HCSL 負(fù)載
型號:

HXO-SF
HXO-SC
HXO-SD

HXO-SE

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