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晶振系列

首頁進(jìn)口晶振鴻星晶振,HCX-5SB晶振,5032晶振,SMD晶振

    鴻星晶振,HCX-5SB晶振,5032晶振,SMD晶振

  • 規(guī)格型號(hào):79009381
  • 頻率:8.000MHZ-80.000MHZ
  • 尺寸:5.0*3.2*0.9mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛的適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家用電器,MP3,MP4,音頻播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域

鴻星晶振,HCX-5SB晶振,5032晶振,SMD晶振
參數(shù):頻率范圍8.000MHZ-80.000MHZ
激勵(lì)電平: 100μW (Max.300μW )
負(fù)載電容:10PF
工作溫度: -30℃~+85℃
保存溫度: -55℃~+125℃
精度 ±10ppm,±30ppm,±50ppm
捆包范圍:1000pcs/reel
尺寸:時(shí)尚薄輕型5.0*3.2*0.9mm
應(yīng)用:藍(lán)牙耳機(jī),電話機(jī),兒童智能玩具,無線通訊,智能多用途遙控器,數(shù)碼相機(jī),GPS定位系統(tǒng),便捷式移動(dòng)電源等數(shù)碼產(chǎn)品。

        鴻星電子已經(jīng)成為全球從事石英晶振頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)與表面黏著式(SMD)石英晶體系列產(chǎn)品之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與營銷。鴻星致力于提供客戶最優(yōu)異的質(zhì)量、服務(wù)及價(jià)值,專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵(lì)員工以團(tuán)隊(duì)合作及積極成長的態(tài)度與時(shí)俱進(jìn)。
        鴻星的核心精神:誠信負(fù)責(zé)、團(tuán)隊(duì)合作、專業(yè)創(chuàng)新、積極成長。鴻星的愿景:HOSONIC以先進(jìn)技術(shù)、優(yōu)異質(zhì)量、完善服務(wù),成為石英晶體產(chǎn)業(yè)最具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的品牌。因此鴻星建立有機(jī)學(xué)習(xí)成長的平臺(tái),激勵(lì)跨單位團(tuán)隊(duì)合作的活動(dòng),要為更好的環(huán)境與產(chǎn)品不斷的改善。


         鴻星晶振,HCX-5SB晶振,5032晶振,SMD晶振,為一款5032mm四腳貼片無源石英水晶振動(dòng)子,有區(qū)別于二腳的5032mm晶體諧振器,四個(gè)腳的點(diǎn)位設(shè)計(jì),可以應(yīng)用的產(chǎn)品更加廣泛,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼片系統(tǒng)安裝,頻率范圍為8.000MHZ~80.000MHZ,常規(guī)精度為+/-10ppm,擁有高頻率高精度的穩(wěn)定性,因此HCX-5SB晶振具有可靠的高信賴性,尤其適用于家電領(lǐng)域。

鴻星晶振型號(hào) HCX-5SB晶振,鴻星貼片晶振
頻率范圍 8.000MHZ~80.000MHZ
頻率公差(25℃) ±10ppm,±30ppm,±50ppm
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±10ppm,±30ppm,±50ppm可指定
操作溫度范圍 -30~+ 85℃,可指定
并聯(lián)電容CO 3pF Max.
驅(qū)動(dòng)電平 50μW(μW100典型)
負(fù)載電容 12pF,可指定
老化(25℃) ±2 ppm /年最大。
存儲(chǔ)溫度范圍 -55~+125℃



抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果石英晶體諧振器已受過沖擊請(qǐng)勿使用。 
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。 
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。 
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞無源晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作


1. 驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示諧振器的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
 
2.振蕩補(bǔ)償
除非在臺(tái)灣晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加
振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
注意事項(xiàng)-振蕩補(bǔ)償.png
3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能水晶振子導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考.png
                           振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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