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晶振系列

首頁歐美晶振日蝕晶振Ecliptek日蝕EA2025石英晶振,EA2025MA10-16.000M TR小體積晶振

    Ecliptek日蝕EA2025石英晶振,EA2025MA10-16.000M TR小體積晶振

  • 規(guī)格型號:2530888
  • 頻率:12MHz-54MHz
  • 尺寸:2.5x2.0mm
  • PDF
  • 產品描述:Ecliptek日蝕EA2025石英晶振,EA2025MA10-16.000MTR小體積晶振,EA2025JA18-30.000MTR,貼片諧振器,Ecliptek日蝕晶振,美國進口貼片晶振,EA2025是一款小體積晶振尺寸2.5x2.0mm晶振,四腳貼片晶振,無源晶振,石英晶振,...


Ecliptek日蝕EA2025石英晶振,EA2025MA10-16.000M TR小體積晶振,EA2025JA18-30.000M TR,貼片諧振器,Ecliptek日蝕晶振,美國進口貼片晶振,EA2025是一款小體積晶振尺寸2.5x2.0mm晶振,四腳貼片晶振,無源晶振,石英晶振,石英晶體諧振器,無鉛環(huán)保晶振,石英晶振,采用優(yōu)異的原料結合高超的生產技術打磨而成,產品具備高質量低損耗的特點,非常適合用于辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能。應用于通訊設備晶振,無線網絡晶振,藍牙模塊晶振,可穿戴設備晶振,平板電腦晶振,汽車電子,醫(yī)療設備,數碼電子,安防設備等應用。

Ecliptek日蝕EA2025石英晶振,EA2025MA10-16.000M TR小體積晶振,EA2025JA18-30.000M TR,貼片諧振器,參數圖

ECLIPTEK晶振

單位

EA2025晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

  12~54MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C ~ +85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C ~ +85°C

標準溫度

激勵功率

DL

50μW Max.

推薦:1μW ~ 100μW

頻率公差

f_— l

±20ppm(標準)

 

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://m.netflixyz.com

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8pF

不同負載要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年


Ecliptek日蝕EA2025石英晶振,EA2025MA10-16.000M TR小體積晶振,EA2025JA18-30.000M TR,貼片諧振器,尺寸圖


Ecliptek日蝕EA2025石英晶振,EA2025MA10-16.000M TR小體積晶振,EA2025JA18-30.000M TR,貼片諧振器
在使用晶振時應注意以下事項:
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂. Ecliptek日蝕EA2025石英晶振,EA2025MA10-16.000M TR小體積晶振,EA2025JA18-30.000M TR,貼片諧振器
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作
制造商零件編號 日蝕晶振 系列 類型 頻率
E8WSDC12-32.768K TR Ecliptek E8WS kHz 晶體(音叉) 32.768 kHz
EA2025JA18-25.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 25 MHz
EA3250MA10-14.7456M TR Ecliptek EA3250 MHz 晶體 14.7456 MHz
EA3250FA18-25.000M TR Ecliptek EA3250 MHz 晶體 25 MHz
EA2025JA18-30.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 30 MHz
EA2025SA10-32.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 32 MHz
EA2025MA10-16.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 16 MHz
EA2025MA10-32.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 32 MHz
E1WCDA12-32.768K Ecliptek E1WC kHz 晶體(音叉) 32.768 kHz
EA2025JA18-16.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 16 MHz
E1WSDA12-32.768K TR Ecliptek E1WS kHz 晶體(音叉) 32.768 kHz
EA2025JA18-32.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 32 MHz
EA2025JA10-24.000M TR Ecliptek EA2025 MHz 晶體 24 MHz
E3WSDC12-32.768K TR Ecliptek E3WS kHz 晶體(音叉) 32.768 kHz



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