晶振系列
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32.768K Clock crystal -
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石英晶振 Quartz Crystal -
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聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
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微孔霧化片 微孔霧化片 -
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臺(tái)灣希華晶體 臺(tái)灣希華 -
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臺(tái)灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
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SHINSUNG晶振 韓國(guó)進(jìn)口SHINSUNG晶振 -
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Lihom晶振 韓國(guó)Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會(huì)社晶振 -
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ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設(shè)計(jì)波段頻率控制設(shè)備和微波無(wú)線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國(guó)的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計(jì)算機(jī),IT和無(wú)線通信公司無(wú)任何界限的信息時(shí)代.我們秉承經(jīng)營(yíng)者的踏實(shí),誠(chéng)懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實(shí)現(xiàn)共贏的目標(biāo),以誠(chéng)信為本,誠(chéng)信為本,公平交易為宗旨,以誠(chéng)信,勤勉,誠(chéng)信,精神質(zhì)量第一,客戶滿意的經(jīng)營(yíng)理念,將以優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量,優(yōu)惠的價(jià)格,優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與您建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
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石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進(jìn)口晶振
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壓控溫補(bǔ)晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數(shù)碼產(chǎn)品
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醫(yī)療產(chǎn)品
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汽車產(chǎn)品
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移動(dòng)產(chǎn)品
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智能家居
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網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
- 規(guī)格型號(hào)：37637694
- 頻率：8.000MHz~80.000MHz
- 尺寸：5.0*3.2*1.3mm
- 產(chǎn)品描述：晶振本身超小型,薄型,重量輕,“ABM3B-8.000MHZ-B2-T”晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無(wú)線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的...
Abracon晶振,貼片晶振,ABM3晶振,貼片石英晶振,ABM3B-8.000MHZ-B2-T
Abracon晶振,貼片晶振,ABM3晶振,貼片石英晶振“ABM3B-8.000MHZ-B2-T”
頻率范圍:8.000MHz~80.000MHz
激勵(lì)電平: 10μW (Max. 100μW )
負(fù)載電容: 18PF
工作溫度: -10℃~+60℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度:±50ppm
捆包單位：1000pcs/reel
尺寸：8.0*4.5*1.4mm
應(yīng)用：無(wú)線模塊，微處理器，調(diào)制解調(diào)器，測(cè)試設(shè)備、PMCIA、無(wú)線通信、洗衣機(jī)、單片機(jī)、家用電器、平板電腦、消費(fèi)類電子、電腦周邊產(chǎn)品
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“ABM3B-8.000MHZ-B2-T”Abracon的低等效串聯(lián)電阻（ESR）和低負(fù)載電鍍電容（CL）晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組。 在降低功耗的競(jìng)爭(zhēng)中，許多片上振蕩器正在被匱乏輸出驅(qū)動(dòng)，通常不能使用標(biāo)準(zhǔn)貼片晶振維持振蕩。Abracon的最新系列用于微功率應(yīng)用的石英晶體克服了這些挑戰(zhàn)。“作為IoT™的心跳，我們力求為客戶提供盡可能多的工具和服務(wù)，將其設(shè)計(jì)帶入下一個(gè)低功率平臺(tái)。 Abras的營(yíng)銷總監(jiān)Juan Conchas評(píng)論說(shuō)，PAS測(cè)試服務(wù)可以在設(shè)計(jì)中對(duì)關(guān)鍵子系統(tǒng)進(jìn)行驗(yàn)證，因?yàn)槿绻袷幤鳠o(wú)法運(yùn)行，沒(méi)有任何操作。Abracon晶振,貼片晶振,ABM2晶振,SMD諧振器
Abracon晶振,貼片晶振,ABM2晶振,SMD諧振器.“ABM3B-8.000MHZ-B2-T”貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Abracon石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù)：1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù)；2.通過(guò)試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認(rèn)最優(yōu)的貼片石英晶振切割工藝參數(shù)。通過(guò)以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產(chǎn)效率。
| Abracon晶振型號(hào) | ABM2晶振 |
| 頻率范圍 | 8.000MHz~100.000MHz |
| 頻率公差(25℃) | ±50ppm,可指定 |
| 頻率穩(wěn)定度超過(guò)工作溫度范圍 | ±50ppm, 可指定 |
| 操作溫度范圍 | -10℃~+60℃，可指定 |
| 并聯(lián)電容CO | 5pF Max. |
| 驅(qū)動(dòng)電平 | 10μW (Max.100μW ) |
| 負(fù)載電容 | 18pF可指定 |
| 老化（25℃） | ±5ppm /年最大。 |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | -40℃~+85℃ |
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒(méi)有問(wèn)題，“ABM3B-8.000MHZ-B2-T”但這僅僅是對(duì)單個(gè)石英晶體產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果，因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
由于石英晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近，容易受到共振破壞，因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗。
若要進(jìn)行超聲波清洗，必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
撞擊
雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性，但如果掉到地板上或者受到過(guò)度的撞擊，以防萬(wàn)一還是要檢查特性后再使用。
裝載
貼片晶振產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝，但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試，確認(rèn)其對(duì)特性沒(méi)有影響。 在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中，請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得貼片晶體產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過(guò)大的振動(dòng)，有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使 用。
＜引線類型產(chǎn)品＞
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí)，請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。Abracon晶振,貼片晶振,ABM2晶振,SMD諧振器
保管
保管無(wú)源晶振在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化。
請(qǐng)?jiān)跊](méi)有直射陽(yáng)光，不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管。
1、振蕩電路
貼片型石英晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
在8045封裝陶瓷面晶振的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米。
限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于8045壓電諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
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