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晶振系列

首頁歐美晶振Abracon晶振Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進口石英晶體

    Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進口石英晶體

  • 規(guī)格型號:120752
  • 頻率:1.8432MHz~160.000MHz
  • 尺寸:11.5*5.0*13.46mm
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  • 產(chǎn)品描述:插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分.

Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進口石英晶體
頻率范圍:1.8432MHz~160.000MHz
負載電容: 18pF
串聯(lián)電阻: Refer to*1
工作溫度: -0 ~ + 70 ℃
保存溫度: -55~ +125 ℃
精度 +/-50PPM

激勵電平: 100μW (Max.1000μW)
尺寸:11.5*5.0*13.46mm
應用:CPU,內(nèi)存卡,電腦打印機,數(shù)據(jù)通信,數(shù)據(jù)輸入, 輸出機等用途

  Abracon提供了廣泛的石英定時晶體和振蕩器,MEMS振蕩器,實時時鐘(RTC),藍牙模塊,陶瓷諧振器,鋸濾器和諧振器,功率和射頻電感,變壓器,電路保護元件和射頻天線和無線充電線圈。作為一個解決方案供應商,Abracon晶振的廣泛的產(chǎn)品線地址信號路徑,數(shù)據(jù)路徑和電源需求在最苛刻的應用。ABRACON旗艦ABLNO系列提供超低相位噪聲固定時鐘或電壓控制晶體振蕩器(VCXO)解決方案標準尺寸為9x14mm。同超過12 kHz的37fs典型RMS抖動20MHz帶寬@ 100MHz載波,ABLNO是性能驅(qū)動的理想選擇通訊,射頻,無線回程,和儀器應用。

  Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進口石英晶體.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負載電容,49/U石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.
  Abracon石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體諧振器元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。

Abracon晶振晶振型號 AB晶振
頻率范圍 1.8432MHz~160.000MHz
頻率公差(25℃) ±50ppm的,可指定
頻率穩(wěn)定度超過工作溫度范圍 ±100ppm的,可指定
操作溫度范圍 -0~+70℃,可指定
激勵電平 10μW (Max.200μW)
驅(qū)動電平 100~1000μW(μW100典型)
負載電容 18pF,可指定
老化(25℃) ±5ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -55~+125℃



抗沖擊
  貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果進口貼片晶振已受過沖擊請勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
  請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
  過高的靜電可能會損壞石英晶體,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

1、振蕩電路
  插件石英晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
  配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
  晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
  在振蕩電路的設計中,必須認識到個體的作用。
  組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
  使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
  當反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,49U插件晶振也不會啟動振蕩。
  除非有適當值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
  晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
  振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。
  限制流入插件石英晶體的電流,調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。
  電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
  C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
  適當?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。
  電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。
  安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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